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GaS/GaAs界面电学性质研究

STUDIES OF ELECTRONIC PROPERTIES OF GaS/GaAs INTERFACE

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【作者】 陈溪滢丁训民张胜坤张博陆方曹先安朱炜侯晓远

【Author】 CHEN XI YING\ DING XUN MIN\ ZHANG SHENG KUN\ ZHANG BO\ LU FANG CAO XIAN AN\ ZHU WEI\ HOU XIAO YUAN (State Key Laboratory of Surface Physics,Fudan University,Shanghai\ 200433)

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【摘要】 报道了微波放电法在GaAs表面生长GaS薄膜.用电容电压法(CV)、伏安法(IV)以及深能级瞬态谱(DLTS)等测试手段对GaS/GaAs界面的电学性质进行了研究.GaS/GaAs界面的CV特性反映此处的界面特性比较好,界面态密度约为1012/(cm2·eV).DLTS的测试得到了与其一致的结果.另外,从IV曲线中漏电流的大小,估算出GaS的电阻率为1011Ω·cm

【Abstract】 A novel passivation film on GaAs surface has been grown by microwave sulfur glow discharge technique.Electronic properties of GaS/GaAs interface have been studied by C V,I V, and DLTS measurements. C V measurement shows that the properties of GaS/GaAs interface are nearly ideal and interface state density is about 10 12 /(cm 2·eV),which agrees with result from DLTS measurement.From leak current of MIS′s structure in I V spectra,the resistivity of GaS is estimated about 10 11 Ω·cm.

【基金】 国家自然科学基金和国家杰出青年科学基金资助的课题
  • 【文献出处】 物理学报 ,ACTA PHYSICA SINICA , 编辑部邮箱 ,1997年03期
  • 【分类号】O484.42
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】59
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