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限定有害杂质极限含量的超高纯氧化钇的研制

Development of Super high Purity Y 2O 3 Within the Limits of Deleterious Impuries Limit Content

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【作者】 张静筠高桂芬宋连仁那天海刘晓播张文士

【Author】 Zhang Jingjun Gao Guaifen Song Lianren Na Tianhai Liu Xiabua Zhang Wenshi (Changchun Institute of Applied Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130022,China)

【机构】 中国科学院长春应用化学研究所

【摘要】 高纯氧化钇(Y2O3)作为YA系列激光晶体的重要原材料具有广泛的应用前景。限定有害杂质并使其低于极限含量的超高纯Y2O3的研究是提高YAG、YAP、YVO4等激光晶体质量、发展其他微电子、光电子材料的迫切需求,也是当前国内外十分关注的研究课题。研制在超净的工作环境下,采用改进的离子交换技术,并设法克服由于使用超细树脂而产生的阻力大、流速低,周期长的缺点。通过改变设备的长径比例和体积比例,实现大体积低浓度条件下的除杂工艺,并与络合、沉淀等多种方法联用的综合化学法,逐步去除Y2O3中的稀土和非稀土杂质,使其达到设定的极限含量,即14种稀土元素杂质含量总和<1μg/g,其中1.06μmNd3+激光输出产生光吸收的有害稀土杂质元素Sm和Dy的含量分别<0.08和0.09μg/g;同时使20多种非稀土杂质极限含量总和<5μg/g。其中Si的极限含量<1.5μg/g,Fe<0.03μg/g,Ca<0.6μg/g,Cl<0.7μg/g,其他杂质极限含量分别<0.1μg/g。采用火花源质谱法分析检测Y2O3中稀土和非稀土杂质含量,结果分别列入表1和表2。表1Y2O3中稀土杂质含量(μg)Y2O3稀土元素(μg)LaCePr?

【关键词】 氧化钇杂质原料
【Key words】 Y 2O 3impuriesraw material
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS , 编辑部邮箱 ,1997年Z1期
  • 【分类号】O742.5
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】58
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