【摘要】 以纯度不低于９９．９９％的ＰｂＯ和ＷＯ３为原料，采用铂坩埚下降法生长ＰｂＷＯ４晶体。生长炉的升温、恒温、降温采用８４－Ｉ程控仪和７０２温度控制器进行监控。对生长出的晶体或经氧退火后的晶体进行切割、研磨、抛光后进行性能测试。透射光谱测定结果表明，ＰｂＷＯ４晶体的吸收边（截止波长）在未退火时约为３２５ｎｍ，在氧退火后稍稍蓝移。４２０ｎｍ附近的透光率在氧退火后降低，严重时呈现一平台。３７０ｎｍ处的透光率在氧退火后增加。晶体在氧退火前为无色透明，富氧退火后略带浅黄色。光致发光光谱测定结果表明，氧退火前，晶体的最强发射峰为４２０ｎｍ（半高宽约为１１０ｎｍ），对应的最有效激发峰为３２０ｎｍ（半高宽至少为１００ｎｍ）；氧退火后，晶体的最强发射峰为４８７ｎｍ（半高宽约为１０５ｎｍ），对应的最有效激发峰为３１０ｎｍ（半高宽约为１９ｎｍ）。无论退火与否，ＰｂＷＯ４晶体都有两个共同的发射峰，即主峰为４０３ｎｍ的蓝光带和主峰为６２５ｎｍ的红光带（极弱），其最有效激发峰分别为４５０ｎｍ和２３７ｎｍ。不过，晶体的６２５ｎｍ发射峰的有效激发峰，除４２５ｎｍ带外，在氧退火后还有稍弱的３９０ｎｍ带以及极弱的３１０ｎｍ带；而在氧退火前这两个激?更多还原