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高温压力传感器温度特性的改善
【摘要】 分析研究了多晶硅电阻对半导体高温压力传感器温度特性的影响,找到了改善传感器温度性能的最佳途径。研制出工作温度为250°C、压力量程为0~1MPa、灵敏度大于40mV/mAMPa的传感器。
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 微电子学 ,MICROELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1997年05期
- 【分类号】TN379
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【摘要】 分析研究了多晶硅电阻对半导体高温压力传感器温度特性的影响,找到了改善传感器温度性能的最佳途径。研制出工作温度为250°C、压力量程为0~1MPa、灵敏度大于40mV/mAMPa的传感器。