外加电场作用下BaTiO₃:Ce晶体中内场的研究

【摘要】 光折变晶体中内场的确定对光折变晶体的应用和参数测量有重要意义。给光折变晶体上加一电场，可以显著地改善晶体的光折变性能。晶体所加的电压即可以是直流的，也可以是交流的．然而，在外加电压V时，晶体内的有效场EO≠V/d，（这里d是电极之间距离）．早期的实验曾发现BSO晶体中的内场只有V/d的1/3左右，近年的一些研究表明，当晶体被均匀光照射时，对不同的人射光波长有0．92和0．6的衰减因子，但这一系数与光强和外加电场无关．另外，利用Pockels效应确定内场时，通常采用的方法是将晶体置于两个互成一定角度的编振片之间，由于外加电场会感应双折射，从而使通过这一系统的光强发生变化，测量光强的变化就可得到晶更多还原