节点文献

硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【机构】复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室；长沙电力学院物理系上海 200433；上海 200433；长沙 410077；

【摘要】 <正> 为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO₂薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO₂薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光（PL）特性的研究.更多还原

【关键词】光致发光； SiN_xO_y；光电子集成；介质膜；硅集成电路；发光中心；发光峰位；发光衰减；文献报道；深能级；

【文献出处】科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1997年17期

【分类号】O484.41
【下载频次】35

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献