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有机硅等离子体聚合薄膜制备及其强场特性研究
【摘要】 本文运用射频辉光放电的低温等离子体在基底上沉积出均匀、透明的聚六甲基二硅气烷（HMDSO）聚合膜，用红外光谱揭示了材料的化学结构。通过击穿和伏安特性研究了等离子体聚合膜的强场特性，发现其导电机理为场助热离子跃迁。此外还分析了退火工艺对薄膜结构和击穿性能的影响。
- 【文献出处】 绝缘材料通讯 , 编辑部邮箱 ,1997年04期
- 【分类号】TB383
- 【被引频次】1
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【摘要】 本文运用射频辉光放电的低温等离子体在基底上沉积出均匀、透明的聚六甲基二硅气烷（HMDSO）聚合膜，用红外光谱揭示了材料的化学结构。通过击穿和伏安特性研究了等离子体聚合膜的强场特性，发现其导电机理为场助热离子跃迁。此外还分析了退火工艺对薄膜结构和击穿性能的影响。