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用临界钝化电流法和液晶法检测金属氧化物膜的缺陷率
THE INSPECTION OF DEFECTS IN METAL OXIDE FILMS BY CPCD AND LIQUID CRYSTAL METHODS
【摘要】 用临界钝化电流（CriticalPassivationCurrentDensity．CPCD）法和液晶法，研究了不锈钢上Ta2O5，ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式：If＝k（1－θ）d．利用液晶的动态散射模型（DynamicScatteringMode，DSM），建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法，并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。
【Abstract】 The defects in Ta2O5 and ZrO2 films prepared by RF sputtering on SUS304stainless steel were studied by CPCD (critical passivation current density) and liquid crystalmethods. In CPCD method a relation between current density if and film thickness wasgiven: If= K(1-0)d. Using DSM (dynamic scattering mode) of liquid crystal, a new methodabout nondestructive testing of film defects was reported. The results of the two methodsshowed a good linear relation.
【关键词】 临界钝化电流密度法；
动态散射模型；
液晶；
氧化物薄膜；
缺陷率；
【Key words】 CPCD method； DSM； liquid crystal； oxide film； defect；
【Key words】 CPCD method； DSM； liquid crystal； oxide film； defect；
【基金】 国家自然科学基金!59471060
- 【文献出处】 金属学报 ,ACTA METALLRUGICA SINICA , 编辑部邮箱 ,1997年06期
- 【分类号】TG142
- 【被引频次】1
- 【下载频次】53