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功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响  
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【英文篇名】 The Action of Functional Coating Film on Electron Emission Ability of Field Emitter Array(FEA)
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【作者】 刘新福; 李琼; 徐静芳; 范忠; 陈春辉; 柳襄怀; 杨根庆;
【英文作者】 Liu Xinfu; Li Qiong; Xu Jingfang; Fan Zhong; ChenCunhui(Department of Electronic Science and Technology; East China Normal University. Shanghai 200062)Liu Xianghuai; Yang Genqing(Shanghai Institute of Metalurgy Academia Sinica; Shanghai 2000050);
【作者单位】 华东师范大学电子科学技术系; 200062; 中科院上海冶金所; 200050;
【文献出处】 华东师范大学学报(自然科学版) , JOURNAL OF EASTCHINA NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE), 编辑部邮箱 1997年 02期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 覆盖膜; 场发射阵列; 电子发射;
【英文关键词】 Funtional Coating Film Field Emitter Array Electron Emission;
【摘要】 为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其它淀积技术。在10~-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I－V特性，测量结果表明除Au和Mo外，其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进，经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F－N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积，从而说明以上所得的实验结果。
【英文摘要】 In order to find out the Si FEA coating material suitable to microelectronics devices,a serial of function material grown by ion Beam assisted Deposit Technology and others have,been adopted as a coating layer.Measurement of the emission by I-V characteristics at the pressure of 10~-6Pa range revealed that all coating layer improved the emission property exceptAu, Mo and TaN coating FEA shown the highest mission current. The effective surfacework function and effective surface emission area were evaluated f...
【基金】 上海市自然科学基金
【分类号】 O462.4
【正文快照】 0引言电子源是有源电子器件的核心，传统真空管中的电子源采用热阴极。在微电子器件中，电子源是正向偏置的PN结，近代集成电路和微机械加工技术的发展给予了真空器件以一种新的微电子形式的再生，产生了新一代电子器件一真空微电子器件。和传统真空管不同，在真空微电子器件中

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