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MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究

The Study of InGaAs/InP Bulk Material Grown by MOCVD

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【Author】 Chen Longhai; Liu Baolin; Chen Songyan; Chen Chao; Huang Meichun(Dept. of Phys, Xiamen University, 361005,CHN)Wang Benzhong; Zhao Fanghai; Liu Shiyong(Jilin University Integrate Photoelectronic Key Lab., 130023,CHN)

【机构】厦门大学物理系!361005；吉林大学集成光电子国家重点实验室!130023；

【摘要】首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。更多还原

【Abstract】 The growth condition of InP and InGaAs on InP substrate by LowPressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition (LP-MOCVD) and the growthperformance of InP/InP and InGaAs/InP are reported. The effect of temperature onInGaAs/InP performance is studied.更多还原

【关键词】 MOCVD； InGaAs； InP；
【Key words】 MOCVD； InGaAs； InP；

【基金】福建省自然科学基金;国家自然科学基金;集成光电子学国家重点实验室资助

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1997年03期

【分类号】TN304
【被引频次】4
【下载频次】162

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