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φ75mmSI-GaAs单晶的研制

Growth of ■75 mm SI-GaAs Single Crystal

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【Author】 Song Qunhou; Chen Hongyi; Zhao Zhouyin; Wu Yingwei Zhu Zhiming; Chen Xiaobin; Dai Jie; Zhu Zhengyun(Nanjing Electronic Derices Institute, 210016)

【机构】南京电子器件研究所!210016；

【关键词】 mmSI-GaAs；单晶炉；砷化镓集成电路；均匀性；电子迁移率；具体参数；晶体生长；温区；位错密度；电学参数；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1997年01期

【分类号】TN304
【下载频次】21

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