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S波段硅脉冲功率晶体管

S-band Silicon Pulsed Power Transistor

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【作者】 张树丹; 李相光; 林川; 傅义珠; 姚长军;

【Author】 Zhang Shudan;Li Xiangguang;Lin Chuan;Fu Yizhu;Yao Chang jun (Nanjing Electronic Devices Institute, 210016)

【机构】 南京电子器件研究所!210016;

【摘要】 报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%。

【Abstract】 This paper presents the experimental results of a silicon pulsed power transistor with self-aligned T-shaped electrode structure. The transistor produces 70 Watts of output power with 8.5 dB of gain and 50% collector efficiency at 2 GHz and for short pulse operation.

  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,RESEARCH & PROGRESS OF SOLIA STATE ELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1997年01期
  • 【分类号】TN32
  • 【被引频次】3
  • 【下载频次】28
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