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反应离子刻蚀工艺因素研究

Research on the Technological Factors for the Reactive Ion Etching

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【Author】 Zhang Jin, Feng Boru, Du Chunlei, Wang Yongru, Zhou Lishu, Hou Desheng, Lin Dajian (State Key Laboratory of Optical Technology for Microfabrication,Institute of Optics & Electronics, Chinese Academy of Sciences,Chengdu,610209)

【机构】中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室；

【摘要】通过大量的实验研究，介绍了反应离子刻蚀的原理，分析了不同材料反应离子刻蚀的机理和关键的工艺因素，给出了工艺参数结果。更多还原

【Abstract】 The principle for the reactive ion etching is presented through the large numbers of experiments and investigations.The mechanism and the key technological factors of the reactive ion etching for the different materials are analyzed.The technological parameters and the results are given.更多还原

【关键词】离子束光刻；离子腐蚀；光刻工艺；
【Key words】 Ion beam photolithography； Ion etching； Photoetching technology.；

【基金】国家863高技术和中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室基金

【文献出处】光电工程 ,OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING , 编辑部邮箱 ,1997年S1期

【分类号】TN405.98
【被引频次】71
【下载频次】1129

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