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S波段硅脉冲功率晶体管

S-Band Silicon Puled Power Transistor

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【作者】 张树丹李相光林川付义珠姚长军康小虎

【Author】 Zhang Chudan, Li Xiangguang, Lin Cluan, Fu Yizhu, Yao Changjin and Kang Xiaohu (Nanjing Electronic Devices Institute, 210016)

【机构】 南京电子器件研究所南京电子器件研究所 210016210016

【摘要】 报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率50%.

【Abstract】 This paper presents the experimental results of a silicon pulsed power transistor with self-aligned T-shaped electrode structure. The transistor produces 70 Watts of output power with 8.5dB of gain and 50 % collector efficiency at 2GHz, for short pulse operation.

  • 【文献出处】 电子器件 ,Journal of Electron Devices , 编辑部邮箱 ,1997年01期
  • 【分类号】TN323.4
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