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绝缘栅双极型大功率晶体管──IGBT

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【作者】 杨晓月

【机构】 北京邮电大学

【摘要】 绝缘栅双极型大功率晶体管IGBT北京邮电大学杨晓月绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGrideBipolarTransistor)是一种新型大功率半导体器件.它集VMOS管电压激励和GTR导通电压小的优点于一体,为电压控制通断的自关断器件...

  • 【文献出处】 电信技术 ,TELECOMMUNICATIONS TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年06期
  • 【分类号】TN322.8
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】84
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