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高Tc GdBa2Cu3O7-δ薄膜2×4阵列式红外探测器研究
High Tc GdBa2Cu3O7-δ Thin Film 2×4 Array Infrared Detector
【摘要】 用高TcGdBa2Cu3O7－δ薄膜薄膜研制了面微桥型2×4阵列Bolometer芯片。同一芯片上8个器件的R－T曲线差异≤10％，在77K测试芯片的红外响应特性，其平均结果为：噪声等效功率NEP（500，10，1）＝5×10－11WHz2/1；探测率D=2．1×109cmHz1/2W-1；响应率Rv=680V／W。
【Abstract】 The 2× 4 arrays with GdBa2Cu3O7-δ thin film were fabricated. The superconducting properties and infrared properties have been measured. The difference of different sample in same chip are≤10%. The typical results are as follows: NEP （500, 10, 1 ） = 5×10-11W, D = 2. 1×109cmHz1/2W-1, Rv = 680VW-1.
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 低温与超导 ,Cryogenics and Super Conductivity , 编辑部邮箱 ,1997年02期
- 【分类号】TN21
- 【被引频次】4
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