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光电化学刻蚀n~+-Si光致发光

Photoluminescence of Photoelectrochemically Etched n+Si

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【Author】 Li Guozheng* Zhang Chengqian Yang Xiumei(Dept. of Chem., Shandong Univ., Jinan 250100)

【摘要】光电化学刻蚀ｎ＋┐Ｓｉ光致发光①李国铮＊张承乾杨秀梅（山东大学化学系济南２５０１００）对ＰＳ的光致发光（ＰＬ），研究最早见于Ｃａｎｈａｍ１９９０年的报导［１］．高孔率的ＰＳ样品在室温下发出强的可见光，被认为是二维量子尺寸效应所致．这一解释很难从实验上...更多还原

【Abstract】 PS layer on n+Si with (111) orientation prepered by means of photoelectrochemically etched has photoluminescent (PL) ability like PS layer on usual nSi. The data of PL spectra and quenching are given.更多还原

【关键词】 n+Si； Etching； Porous silicon； Photoluminescence；
【Key words】 n+Si； Etching； Porous silicon； Photoluminescence；

【基金】厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室,中国科学院北京感光化学研究所开放实验室资助

【文献出处】电化学 ,ELECTROCHEMISTRY , 编辑部邮箱 ,1997年04期

【分类号】O644
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