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在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT

High Gain SiGe/Si Heterojunction Bipolar Transistor at Liguid Nitrogen Temperature

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【作者】 邹德恕； 陈建新； 沈光地； 高国； 杜金玉； 张时明； 袁颖； 王东凤； 邓军； W．X．Ni； G．V．Hansson；

【Author】 Zou Deshu; Chen Jianxin; Shen Guangdi; Gao Guo; Du jinyu;Zhang Shiming; Yuan Ying; Wang Dongfeng and Deng Jun(Department of Electronic Engineering, Beijing Polytechnic University, Beijing 100022)W. X. Ni and G. V. Hansson(Department of Physics, Linkoping

【机构】 北京工业大学电子工程系!北京市光电子技术实验室； 北京； 100022； 北京工业大学电子工程系!；

【摘要】 本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．

【Abstract】 The decrease of current gain of silicon bipolar transistor at low temperature has been analysed. High gain SiGe/Si HBT at liquid nitrogen temperature has been persented by optimizing related parameters. Its operating mechanism has also been analysed.

【关键词】 SiGe/SiHBT； 液氮温度； 双极晶体管； 电流增益； 基区； 杂质能带； 禁带； 器件水平； 红外探测器； 优化设计；
【基金】 国家“863”计划资助
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年05期
  • 【分类号】TN21
  • 【被引频次】5
  • 【下载频次】23
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