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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

Study of Photothermal Ionization Spectroscopy of Nitrogen Related Donors in Czochralski Silicon Under Nitrogen Atmosphere

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【Author】 Zhang Xiwen and one Duanlin(State key Laboratory of Silicon Material Science, Zhejiang University, Hangzhou 310027)Shi Xiaohong and Shen Xuechu(National Laboratory for Infared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,The Chinese Academy of Science

【机构】浙江大学硅材料国家实验室!杭州； 310027；中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室!上海； 200083；

【摘要】以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．更多还原

【Abstract】 :PTIS method is taken to indicate the presence of nitrogen related donor(NRD)in nitrogen doped CZ-Si grown under high purity nitrogen atmosphere at reduced pressure.It is confirmed that NRD are generated between 300～800℃, and can be unreversibely annihilated under 900℃ heat-treament. N-O complex and oxygen agglomeration may be two origins of NRD, each has different heat treatment behavior.更多还原

【关键词】硅单晶；热电离；温区；半导体材料；凝聚态；氮气氛；实验样品；区熔；有效质量近似； Griffin；

【文献出处】半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1997年05期

【分类号】TN304
【被引频次】2
【下载频次】27

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