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GaAs/AlGaAs HBT器件的S₂Cl₂钝化

S₂Cl₂ Passivation of GaAs/AlGaAs HBT

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【Author】 Cao Xian’an; Chen Xiying; Li Zheshen; Su Runzhou; Ding Xunming and Hou Xiaoyuan(Surface Physics Laboratory, Fudan University, Shanghai 200433)Qian Feng, Yao Xiaoe and Chen Xiaojian(Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016 )Received 20 April 19

【机构】复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海； 200433；东北林业大学物理系!哈尔滨； 150040；复旦大学应用表面物理国家重点?；

【摘要】本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．更多还原

【Abstract】 The diluted S2Cl2 solution has been employed to treat the GaAs/AlGaAs HBT’sand their DC properties have been improved significantly. The study of low-temperaturecharacteristics and real-time passivation have confirmed that the surface recombinationvelocity of GaAs can be reduced efficiently. S2Cl2 treatment is a promising passivationprocess in the fabrication of GaAs devices.更多还原