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电子辐照快速恢复二极管

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【作者】 莫长涛; 李钢;

【机构】 黑龙江商学院基础部;

【摘要】 电子辐照快速恢复二极管莫长涛李钢黑龙江商学院基础部(哈尔滨150076)本试验为ZK50A快速恢复二极管。芯片厚320μm,n型衬底电阻率30~50Ω·cm。将二极管芯片置于JJ1.2型电子静电加速器扫描盒下,在大气室温环境下用电子束照射。为试验辐照...

  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年05期
  • 【分类号】TN31
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