节点文献
RTP改善超薄SiO2膜特性的研究
【摘要】 超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＰｒｏｃｅｓｉｎｇ——ＲＴＰ）后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容、ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中作栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实用价值。
- 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1997年04期
- 【分类号】TN304.055
- 【被引频次】2
- 【下载频次】42