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硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究

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【作者】 刘峥； 翟富义； 张椿； 尤重远；

【机构】 北京有色金属研究总院；

【摘要】 硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集成电路制造用硅抛光片经常会遇到“雾缺陷”问题，它是指经过高温（大于１０５０℃）氧化后的ｐ...

【关键词】 硅片； 背损伤； 雾缺陷； 吸除作用；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1996年01期
  • 【分类号】TN405.2
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