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256×9位FIFO存储器的设计与研制
【摘要】 设计了256×9位FIFO存贮器，该电路数据的输入、输出端口，读、写控制端口是分开的，其存储单元采用双通道RAM结构，具有同步／异步数据传输功能，在读写过程中能自动给出存储体内数据的空满标志，并同时控制数据的读写操作，用读控制信号作为三态输出的使能端。设计中利用CAD工具分别进行了逻辑、电路仿真和版图验证，设计的读写速度为10MHz，采用标准3μm硅栅CMOS工艺实现。
- 【文献出处】 微处理机 ,Microprocessors , 编辑部邮箱 ,1996年01期
- 【分类号】TP333
- 【被引频次】2
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