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N~+注入硅RTA样品的蓝绿光发射

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【作者】刘渝珍；石万全；陈建新；李玉芝；陈志坚；孙景兰；柳雪君；刘振祥；张裕恒；沈光地；

【机构】中国科学技术大学研究生院；北京工业大学电子工程系；中国科学技术大学结构中心；中国科学院物理研究所；北京工业大学电子工程系北京 100039；北京 100039；北京 100022；合肥 230026；北京 100080；北京 100022；

【摘要】 <正> 自发现多孔硅在室温下可以发射可见光以来,人们对量子尺寸限制效应的研究兴趣剧增。由于多孔硅结构疏松,不利于广泛应用,人们开始将注意力转移到纳米硅薄膜的研究。朱美芳等人利用非晶硅薄膜快速退火处理,获得连续纳米硅薄膜,并观察到蓝绿光发射,但在脱氢过程中,纳米硅薄膜易损坏。本文通过高剂量N~+注入到硅基体上,经快速退火形成硅与氮化硅镶嵌结构的大面积的纳米硅薄膜,T≥1000℃退火后的样品,观测到有稳定的蓝绿光(500～610nm)发射。更多还原

【关键词】 N~+注入；纳米硅；快速热退火；蓝绿色发光；

【基金】中国科技大学结构分析开放实验室资助课题;北京市光电子技术实验室资助课题

【文献出处】科学通报 ,Chinese Science Bulletin , 编辑部邮箱 ,1996年12期

【分类号】O472.3
【被引频次】2
【下载频次】23

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