高饱和磁化强度Fe₁₆N₂单晶薄膜

【摘要】 <正>尽管Fe₁₆N₂的结构早已为人们所知“‘，但对其研究的巨大兴趣则始于发现其奇异的高饱和磁化强度(Bs一258 T严之后．制备高含量比川。的研究在块体和薄膜材料方面都很活跃l’ 4］．然而，由于它是亚稳相，迄今只有日本Sllgita’领导的小组在半导体基片上制备出了Fe₁₆N₂单晶薄膜，并验证了室温下其饱和磁化强度高达 29又大大超过 Slaterwaaling曲线．关于卜；刀。是否具有如此高的饱和磁化强度值成为当个磁学理论界争论的一个热点风刁．作者曾详细研究了溅射条件对氮化铁各相形成的影响闷，本文用溅射法制备出a‘’xe入单晶薄膜，井清晰地观察到了沿［l叫和［110方向的电子衍射花样．磁性测量结果表明其饱和磁化强度值高达 264～ 289 Wbha’．更多还原