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Mossbauer effect and EPR spectroscopy study on GaP:Fe

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【Author】 ZENG Yiwei QIU Ju YANG XizhenLI Zhi and LIN Zhenjin(Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China)

【机构】 Department of Physics； Beijing Normal University； Beijing 100875； China； China；

【摘要】 <正> As is known, GaP is a kind of semiconductors with a wide, indirect gap and is one ofthe dominant materials for fabrication of green luminescence emission diode. It is inevita-ble to form iron impurities in growing the single crystal of GaP. This causes difficulties inimproving the efficiency of the luminesence devices. Undoubtedly, it is very important in更多还原

【关键词】 iron implantation and diffusion； GaP； Mossbauer and EPR spectroscopy； the population of multi-charge state of iron.；
【Key words】 iron implantation and diffusion； GaP； Mossbauer and EPR spectroscopy； the population of multi-charge state of iron.；

【文献出处】 Chinese Science Bulletin ,科学通报(英文版) , 编辑部邮箱 ,1996年10期

【分类号】O472
【下载频次】14

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