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Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究
【摘要】 利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土 0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【文献出处】 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) ,Science in China,Ser.A , 编辑部邮箱 ,1996年05期
- 【分类号】O475
- 【被引频次】1
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