长波HgCdTe光电二极管:n~+在p上面的结构与p在n上面的结构的比较

【摘要】 从理论上对n⁺在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结果。对于工作于77K、采用0.1eV基材料的两种类型的HgcdTe光电二极管,均考虑了结位置对R₀A积、光电增益以及噪声的影响。尤其是,详细分析了两种结构的作为截止波长和温度的函数的R₀A积。就假定的同质结基区掺杂浓度而言(对于n⁺在p上的结构,Na=5×10¹⁵cm^-3;对于p在n上的结构,Nd=5×10¹⁴cm^-3,p在n上的结构的p型顶层对有效R₀A积的影响要此n⁺在R0A上的结的n⁺型层对R₀A积的影响更严重。因此,为了消除顶层的这种不利影响（特别是在使用p在n上的结的情况下）,必须有一层宽带隙顶层。对于给定的截止波长,在低于77K的温度范围内,p在n上的光电二极管的A积的理论值比n⁺在p上的光电二极管的略微大一些,这是由于较低掺杂的结果。在较高温度范围内,对于波长很长的光电二极管,采用p型基本嚣件则更有利。将计算结果同其他作者报告的实验数据进行了比较。更多还原