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碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

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【作者】翁桅；陆尧；

【机构】上海电器科学研究所；上海电器科学研究所 200063； 200063；

【摘要】本文对铜含量20Wt％的Cu—WC基真空接触器用触头材料残存气体的来源,存在状态进行了分析和推测,提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Cu—WC触头材料(CW—2型)。6kV等级的真空灭弧室改用CW—2型触头后,其短路分断电流由2500～3200A提高到5000A以上更多还原

【关键词】真空触头；碳化钨；除气工艺；

【文献出处】华通技术 ,Hua Tong Technology , 编辑部邮箱 ,1996年02期

【分类号】TM503.5
【被引频次】1
【下载频次】38

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