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InP的MOVPE生长

GROWTH OF InP BY MOVPE

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【作者】 刘祥林； 陆大成； 王晓晖； 汪度； 董建荣；

【Author】 Liu Xianglin; Lu Dacheng;Wang Xiaohui;Wang Du;Dong Jianrong(Semiconductor Materials Science Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083)

【机构】 中国科学院半导体研究所材料开放实验室；

【摘要】 我们利用自制的常压ＭＯＶＰＥ设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了ＩｎＰ外延材料，其７７Ｋ迂移率为６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的ＩｎＰ薄膜的最大低温迁移率值。

【Abstract】 InP epitaxial layer has been grown by home made atmospheric pressure.MOVPE equipment with domestic trimethylindium and imported phosphine.Its mobility at 77 K is 65300 cm2/V.s,which is the highest low-temperature mobility of InP grown by any method up to now in Cmna.

【关键词】 MOVPE； InP； 迁移率；
【Key words】 MOVPE； InP； Mobility；
  • 【文献出处】 光子学报 ,ACTA PHOTONICA SINECA , 编辑部邮箱 ,1996年02期
  • 【分类号】TN304.054
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