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ZnO－B2O3－SiO2系统的介电性能研究
【摘要】 对ＺｎＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０－４，αＣ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０－５／℃。调整各组分，获得一系列αＣ＞０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０１３Ω，αＣ＝０±３０×１０－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低介热稳定多层陶瓷电容器
【关键词】 氧化锌氧化硼氧化硅系；
超低介电常数；
中温烧结；
正介电常数温度系数；
- 【文献出处】 硅酸盐学报 ,JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY , 编辑部邮箱 ,1996年05期
- 【分类号】TQ174.42
- 【被引频次】7
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