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半导体锑化铟(InSb)化合物在横向量子化磁场里的温差电动势
【摘要】 <正>在实验室里,我们对半导体锑化铟(InSb)化合物在横向量子化的磁场里(△T⊥H)的温差电动势的值进行了一系列的测量和实验研究,一共进行了8个方面的实验科学研究工作。 在第4个方面的实验科学研究工作中,首先是对于v<1(在这里一电子本身的有效质量,H—磁场强度)的磁场里的电子状态下的半导体锑化铟(InSb)的化合物的温差电动势的量子化增量(用符号δa表示)之值进行了多次实验测量和研究工作。在不考虑电子本身自旋的情况下,由实验测量出的磁场里的半导体锑化铟(InSb)化合物的温差电动势的量子化增量δa之值满足了下列计算公式:
- 【文献出处】 齐齐哈尔师范学院学报(自然科学版) , 编辑部邮箱 ,1996年01期
- 【分类号】O472
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