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三端1.3μmInGaAsP/InP双区共腔激光器

Three-terminal 1. 3μm InGaAsP/InP Two-section Lasers

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【作者】 张权生石志文杜云赵军颜学进

【Author】 Zhang Quansheng;Shi Zhiwen;Du Yun;Zhao Jun;Yan Xuejin (Institute of Semiconductors,Academia Sinica and National Integrated Optoelectronics Laboratory, Beijing 100083)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

【摘要】 研制成功了弱调Q及强调Q两种三端1.3μmInGaAsP/InP双区共腔激光器,其P/I特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续(直流)工作,吸收区电极的设置使两种器件的P/I特性均获得了大范围调节。

【Abstract】 Two kinds of 1. 3μm InGaAsP/InP common-cavity two-section lasers behaving the weak and strong Q-switching effect have been developed. The P/I curves of the two lasers display the lasing characteristics and bistabilities, respectively. The CW operation of the two lasers at room temperature has been realized and their P/I characteristics have been regulated in a wide range by the absorption region current.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 高技术通讯 ,HIGH TECHNOLOGY LETTERS , 编辑部邮箱 ,1996年07期
  • 【分类号】TN284
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