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高输人阻抗低噪声JFET的研究

A Study on JFET of High Input Impedance and Low Noise

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【作者】 冯景星；

【Author】 $$$$Fen Jingxing(Department of Electronics and Applied Physics,Fuzhou University,Fuzhou,350002)

【机构】 福州大学电子科学与应用物理系；

【摘要】 高输人阻抗低噪声ＪＦＥＴ的研究冯景星（福州大学电子科学与应用物理系，福州，３５０００２）１理论分析１．１漏电流ＩＤ与同源电压ＶＤＳ、栅源电压ＶＧＳ的关系１）由ＪＦＥＴ的工作原理，从理论上可推导得ＩＤ、ＶＤＳ、ＶＧＳ之间的关系为：式中：由（１）式可得跨...

【关键词】 应用物理； JFET； 电子科学； 源电压； 噪声管； 栅源； 福州大学； 理论分析； 噪声系数； 跨导；
  • 【文献出处】 福州大学学报(自然科学版) ,JOURNAL OF FUZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDTION) , 编辑部邮箱 ,1996年02期
  • 【分类号】O422
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