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VLSI中互连失效及其微测试结构

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【作者】 张安康

【机构】 东南大学 南京210018

【摘要】 本文叙述了VLSI中众多互连失效,分析了失效原因及其对器件性能的影响,介绍了检测接触电阴、互连中电迁移的测试结构,讨论了微测试技术的测试结果.

【关键词】 互连失效测试结构尖峰接触电阻接触栓接触孔
  • 【文献出处】 电子产品可靠性与环境试验 ,Electronic Product Reliability and Environmental Testing , 编辑部邮箱 ,1996年01期
  • 【分类号】TN407
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