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退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

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【作者】 刘兴阶； 刘卫忠； 林更琪； 缪向水； 李佐宜；

【机构】 华中理工大学团体电子学系；

【摘要】 用ＲＦ磁控溅射法在纯Ａｒ气中，在硅基片上不加热，制备了Ｂａ铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好ｃ轴垂直膜面择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别是Ｍｓ＝２９６ｋＡ／ｍ，Ｈｃ＝３１０．４ｈＡ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。

【关键词】 Ba铁氧体薄膜； 射频磁控溅射； 退火；
  • 【文献出处】 磁性材料及器件 ,JOURNAL OF MAGNETIC MATERIALS AND DEUICES , 编辑部邮箱 ,1996年03期
  • 【分类号】TM277.03
  • 【被引频次】3
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