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铜的气体表面渗硅新工艺研究

Research on New Technique of Surface Gas Siliconize on Cu

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【作者】 甘正浩毛志远沈复初郦剑叶必光

【Author】 Gan Zhenghao\ Mao Zhiyuan\ Shen Fuchu\ Li Jian\ Ye Biguang Zhejiang University, Hangzhou, 310027

【机构】 浙江大学

【摘要】 本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺,也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况,介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响

【Abstract】 In this paper, the new technique of surface gas siliconize on copper was researached, it is a kind of surface modification in silication in silicating atmosphere. The influence of various experimental parameters on depth and properties of siliconize layer were also introduced.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 材料科学与工程 ,MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING , 编辑部邮箱 ,1996年04期
  • 【分类号】TG146.11
  • 【被引频次】8
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