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MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

Discussion on the Protection from Static in MOS Integrated Circuit Process

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【作者】 潘广问;

【机构】 襄樊大学物理教研室;

【摘要】 本文分析了MOS集成电路的静电击穿机理,提出了在MOS集成电路生产过程中的一些防静电措施

【Abstract】 This paper treats the principle of static puncture in MOS integrated circuit and presents (provide) the measures to protect against static in the process of MOS Integrated Circuit Production to manufacturers.

【关键词】 静电击穿; 防静电;
【Key words】 Static puncture; Protection from static;
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】4
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