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MOS集成电路生产过程中防静电的讨论
Discussion on the Protection from Static in MOS Integrated Circuit Process
【摘要】 本文分析了MOS集成电路的静电击穿机理,提出了在MOS集成电路生产过程中的一些防静电措施
【Abstract】 This paper treats the principle of static puncture in MOS integrated circuit and presents (provide) the measures to protect against static in the process of MOS Integrated Circuit Production to manufacturers.
- 【文献出处】 半导体杂志 , 编辑部邮箱 ,1996年03期
- 【分类号】TN386.1
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