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InGaAsP／InP　MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器

InGaAsP/InP MQW Current-Controlled Bistable Lasers/ Nonlinear Switch Gates With Gain

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【作者】 张权生； 石志文； 杜云； 颜学进； 赵军；

【Author】 Zhang Quansheng; Shi Zhiwen; Du Yun; Yan Xuejin and Zhao Jun (Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences and National Integrated Optoelectronics Laboratory, Beijing 100083) Received 14 August 1995, revised manuscript received 26 February

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室；

【摘要】 一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．

【Abstract】 Abstract A kind of current-controlled InGaAsP/InP multiquantum well(MQW) two-section bistable laser/nonlinear switch gate with gain has been developed. Some of bistable hysteresis characteristics are given. The lowest value of the turn-on threshold current obtained was 22 mA at room temperature, which is the best value reported in the literature.

【关键词】 InGaAsP； InP； MQW； 电流控制型； 双稳； 多量子阱； 增益区； 主电极； 激射； 有源区；
【基金】 863计划,国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS , 编辑部邮箱 ,1996年11期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】21
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