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硅化结形成技术
【摘要】 详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法（ＰＪＳ，ＤＤＯ，ＩＴＭ）特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。
- 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1996年05期
- 【分类号】TN304.24
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【摘要】 详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法（ＰＪＳ，ＤＤＯ，ＩＴＭ）特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。