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用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性

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【作者】 朱文珍；

【机构】 中国科学院半导体所；

【摘要】 本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。

【关键词】 Ga； In； P／GaAs； 异质结界面； 导带差； 界面固定电荷； 电化学C－V；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY , 编辑部邮箱 ,1996年04期
  • 【分类号】TN304.260.1
  • 【被引频次】1
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