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InP中皮秒快速现象
Picosecond phenomena in InP
【摘要】 利用测量瞬态反射谱的方法，探索了掺硫、铁、锌以及非掺杂的ＩｎＰ中载流子寿命。观察到非掺杂ＩｎＰ中载流子寿命最长约６０ｐｓ；掺锌Ｉｎｐ中载流子寿命３８Ｐｓ居中；掺硫和掺铁的寿命最短约１ｐｓ。掺硫、铁和锌的ＩｎＰ中载流子寿命下降，是由于掺杂引入了复合中心。这一结果已被喇曼光谱所证实。
【Abstract】 Carrier lifetime in( S,Fe,Zn) doped InP and undoped InP has been investigated using the method of measuring transient reflectivity,which reveals a significant reduction of carrier lifetime from 60 ps in the unintentionally doped InP to about 1 Ps in(S,Fe) doped InP,38 ps in the Zn- doped.Doped InP carrier lifetime is shorter than undoped InP,because S,Fe and Zn serve as recombination and trapping centers.Raman study was used to confirm these results.
【关键词】 半导体材料；
铟磷半导体；
特性测试；
复合与陷阱；
瞬态反射谱；
【Key words】 Semiconductor Materials； InP Semiconductor； Characteristic Measurement； Recombination and Trapping,Transient Reflectivity；
【Key words】 Semiconductor Materials； InP Semiconductor； Characteristic Measurement； Recombination and Trapping,Transient Reflectivity；
【基金】 863国家自然科学基金,集成光电子国家重点实验室半导体所实验区资助
- 【文献出处】 半导体光电 ,SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS , 编辑部邮箱 ,1996年02期
- 【分类号】TN304.07
- 【被引频次】1
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