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大直径p型探测器级硅单晶的研制

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【作者】 孙华英； 陈勇刚； 周旗钢； 任晓东； 谭伟时； 孙德林；

【机构】 北京有色金属研究总院；

【摘要】 为了满足对大直径ｐ型探测器级硅单晶的需求，在原有小直径单晶工艺的基础上，采用线圈喷砂打毛、甩尾、保温提纯、快速成晶等技术，成功地拉制出Φ５０、Φ６２和Φ７５的ｐ型高阻硅单晶。用本区熔工艺拉制的单晶可做到无位错、无漩涡缺陷。对技术中涉及的有关机理进行了初步探讨。

【关键词】 大直径单晶硅； p型高阻单晶硅； 无位错单晶硅； 无漩涡缺陷生长技术；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1995年06期
  • 【分类号】TN304.12
  • 【被引频次】1
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