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浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料

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【作者】 潘奇汉；

【机构】 北京有色金属研究总院；

【摘要】 冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δｍａｘ＝４．３；相对应的电子能量Ｅ＿ｏ＝４００ｅＶ；第一交叉点的能量约５０ｅＶ。

【关键词】 冷阴极材料；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,CHINESE JOURNAL OF RARE METALS , 编辑部邮箱 ,1995年04期
  • 【分类号】TN104
  • 【被引频次】7
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