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RF-PCVD沉积参数对TiN沉积速率的影响

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【作者】 谢雁； 李世直；

【机构】 青岛化工学院等离子体表面技术研究所!青岛266042；

【摘要】 用射频等离子体沉积TiN膜，对影响薄膜生长的因素作了研究。特别是H2，N2，TiCl4及射频功率、偏压对膜生长速率的影响进行了报导。

【关键词】 氮化钛膜； 沉积速率； 射频功率；
  • 【分类号】TB43
  • 【被引频次】1
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