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离子辐照与发光多孔硅

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【作者】 鲍希茂； 杨海强； 阎锋；

【机构】 南京大学物理系和固体微结构实验室； 南京大学物理系和固体微结构实验室 南京 210008； 南京 210008； 南京 210008；

【摘要】 报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。

【关键词】 多孔硅； 光荧光； 离子注入；
【基金】 国家自然科学基金
  • 【分类号】TN304.9
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