用表面分析方法直接研究亚稳态条件下金刚石的生长机理

【摘要】 <正> 低压气相生长金刚石是在石墨处于稳态而金刚石处于亚稳态条件下进行的。利用原子H对石墨的腐刻速率比对金刚石要大两个数量级,在生长室中加入过饱和的原子氢,造成有利于金刚石生长而抑制石墨生长的动力学优势。对于金刚石生长机制的研究,目前已基本确定CH₃/CH₄和C₂H₂是金刚石主要的前驱生长基团,但对于它们对金刚石（111）和（100）面的贡献还没有取得统一的认识。迄今对于亚稳态条件下金刚石（111）和（100）面的生长模型提了很多,主要有Harris等的CH₃基团生长（111）和（100）面模型;Frenklach等的C₂H₂生更多还原