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LiF与Ge单晶线性热膨胀系数的测定
【摘要】 本文采用《ＴｈｅＬｉｎｅａｒＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆＴｈｅｒｍａｔＥｘｐａｎｓｉｏｎｏｆＳｉｌｉｃｏｎａｔＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ》（ＬｉｕａｎｄＺｈｅｎｇ，１９９１）一文的测量技术，用Ｘ射线粉末衍射仪测得ＬｉＦ与Ｇｅ单晶在常温下的线性热膨胀系数分别为（３．３４±０．０２）×１０－５／°Ｃ和（６．１２±０．０３）×１０－６／°Ｃ。这一结果比有关文献报道的用传统技术测得的结果的准确度高，且操作快速简便。从而表明该文所述的测量技术全完适用于常温下对其他晶体材的测量。
- 【文献出处】 湛江师范学院学报(自然科学版) ,JOURNAL OF ZHANJIANG TEACHERS COLLEGE , 编辑部邮箱 ,1995年01期
- 【分类号】O736
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