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高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用

DEVELOPMENT AND APPLICATION OF NUCLEAR RADIATION DETECTOR MADE FROM HIGH RESISTIVITY SILICON AND COMPOUND SEMICONDUCTOR

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【Author】 Ding Honglin Zhang Xiufeng Zhang Wanchang, et al. (CHINA INSTITUTE OF ATOMIC ENERGY, BEIJING)

【摘要】 <正> 叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5kev的¹²⁵IX射线的计数率（探测效率）,为此采用了圆锥型台面结构,这一方面可以适当增加探测器样品的厚度,另一方面在相同工作电压下可提高探测器对电荷的收集电场。对GaAs探测器来说,必须提高探测器的电荷收集性能,为此采用了样品的减薄技术和制备欧姆接触的热处理技术。使GaAs探更多还原

【关键词】硅探测器；高阻；核医学；圆锥型；热处理技术；探测效率；欧姆接触；计数率；工作电压；反向偏压；

【文献出处】中国核科技报告 ,China Nuclear Science and Technology Report , 编辑部邮箱 ,1995年S2期

【分类号】TL81
【被引频次】1
【下载频次】141

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